屏蔽与主动补偿不是一回事

概念与定义

屏蔽通常是被动结构，利用高磁导材料、导电材料或多层结构，对不同频率的外磁场产生衰减；主动补偿则是可调控制系统，根据背景测量设置线圈电流。屏蔽并不自动将磁场清零，补偿也无法在无限大的空间里保持完美抵消。

简单比较可以这样理解：屏蔽先改变环境中磁场的传递途径，补偿再在指定工作区域修正残余场。对于近零场 OPM，两者有时配合使用，但是否需要、如何组合，取决于传感器类型和实际磁环境，不能把它们画成任意互换的两个按钮。

开放式地下车库有车辆行驶、钢结构与持续工作的道闸设备，无法默认具有磁屏蔽室的几何边界。即便在单个探头周围加小型屏蔽壳，也可能改变目标事件进入传感器的磁场路径，并引入安装空间和维护困难。

NEURALAN 的应用设定本身要求观测来自车辆附近的磁变化。如果屏蔽方案同时压低目标信号，或补偿环路主动抑制需要分析的短时变化，系统将失去研究目的。所谓抗干扰必须同时说明“被压低的是什么”和“被保留的是什么”。

对低频和近直流磁场，高磁导材料可引导磁通，形成受保护区域；对随时间快速变化的场，导电材料中的涡流也可能产生屏蔽效果。但衰减程度随几何、材料、接缝、开口、饱和与频率改变，不能用单一“屏蔽率”覆盖所有场景。

主动补偿的核心则是测量残余场、计算线圈所需控制量、施加电流并检验结果。静态偏置可移动工作点，反馈控制还能跟踪某些低频变化，但同时引入控制噪声、延迟、耦合误差及对目标信号的误抑制风险。

即使在磁屏蔽室内，残余场仍可能让高灵敏零场探头越出工作区。相关论文借助三轴补偿线圈处理这一问题，并讨论附加噪声。这些研究情境说明“有屏蔽还要补偿”并不矛盾，但不能将屏蔽室实验结果直接推广到车库。

评价屏蔽应至少记录材料结构、受保护空间大小、不同频率下的残余场与对目标磁源的影响。评价补偿则应记录线圈标定、控制带宽、残余场稳定性以及控制通道故障时的行为。两个报告可以互相参照，但测试方法不能完全相同。

SIM-03 预设道闸电机对目标与参考通道造成共同扰动；SIM-08 预设钢结构背景缓慢漂移。它们都不是磁屏蔽或主动补偿工程已完成的结果，只是说明不同干扰机制在事件分析中可能要求弃判。

未来若制作车库样机，应先得到未补偿、未屏蔽时的背景场基线，再在同一可控激励下评估各方案。否则，一张处理后噪声很低的曲线既可能代表干扰被抑制，也可能意味着目标事件被一起削弱。